SemiQ將1,700V SIC肖特基分立二極管和雙二極管模塊引入其QSiC?產(chǎn)品系列。新設(shè)備滿足了多種高需求應(yīng)用的尺寸和功率要求，如開關(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、感應(yīng)加熱器、焊接設(shè)備、DC/DC轉(zhuǎn)換器、太陽能逆變器和電動汽車(EV)充電站。

　　SemiQ的1,700V SiC肖特基二極管技術(shù)沒有反向恢復(fù)電流，且開關(guān)損耗極低。該技術(shù)還改進了熱管理，減少了對冷卻的需求。因此，工程師可以設(shè)計出極高效率和高性能的系統(tǒng)，減少系統(tǒng)產(chǎn)生的熱量，從而使用更小的散熱器，降低成本和空間占用。所有新設(shè)備都能夠在-55°C到175°C的不同工作結(jié)溫(Tj)之間快速切換。

　　GP3D050B170X(裸片)和GP3D050B170B(TO-247-2L封裝)分立二極管的最大正向電流分別為110A和151A。該設(shè)備的設(shè)計簡化了并聯(lián)配置，從而提升了各種電力應(yīng)用的靈活性和可擴展性。

　　GHXS050B170S-D3和GHXS100B170S-D3雙二極管模塊是耐用的模塊，采用SOT-227封裝。每個組件的最大正向電流分別為110A和214A。

　　這些組件在高頻下表現(xiàn)出卓越性能，具有低損耗和低電磁干擾(EMI)操作。通過減少干擾來最大化能源效率和可靠性。該產(chǎn)品的主要特點是極小的雜散電感、在高結(jié)溫下的操作能力、耐用性和易于安裝的內(nèi)部絕緣封裝(AIN)，提供了出色的絕緣和熱導(dǎo)率。結(jié)與殼之間的低熱阻確保了熱量的有效散發(fā)，即使在高功率水平下運行也能保證穩(wěn)定性。模塊的正溫度系數(shù)(Tc)使得前向電壓(Vf)在并聯(lián)連接時更為便利。

　　SemiQ表示，這些新開發(fā)的1,700V SiC二極管在功率效率和可靠性方面展示了顯著的進步。SemiQ的QSiC?二極管具有緊湊和靈活的設(shè)計，低損耗和出色的熱管理。這些二極管使客戶能夠開發(fā)先進和高性能的解決方案，同時降低成本并提升整體系統(tǒng)效率。所有組件均通過了超過1,870V的電壓測試，并完成了能量高達1,250mJ的雪崩測試。

浮思特科技專注功率器件領(lǐng)域，為客戶提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及MCU和觸控芯片，是一家擁有核心技術(shù)的電子元器件供應(yīng)商和解決方案商。