英飛凌的 CoolSIC MOSFET 1200 V 和 IGBT7 H7 1200 V 系列功率半導(dǎo)體采用針對(duì)工業(yè)應(yīng)用量身定制的最新半導(dǎo)體技術(shù)和設(shè)計(jì)理念。

　　英飛凌它的電力半導(dǎo)體設(shè)備提供給?？怂?福克斯是可再生能源部門的一個(gè)快速發(fā)展的領(lǐng)先者,也是逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的生產(chǎn)者。雙方都致力于推動(dòng)可再生能源的增長(zhǎng)。英菲龍將提供它的冷卻器。 莫斯費(fèi)茨 1200V,該系統(tǒng)將與EicedR2閘門驅(qū)動(dòng)程序一起用于工業(yè)儲(chǔ)能應(yīng)用。與此同時(shí),?？怂箤⒗糜⒎朴赖腎GBT7H71200V半導(dǎo)體功率器件在其弦PV逆變器。

　　近年來，全球光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)(PV-ES)市場(chǎng)經(jīng)歷了快速增長(zhǎng)。隨著PV-ES行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的不斷增強(qiáng)，提高功率密度已成為取得成功的關(guān)鍵因素。因此，人們對(duì)探索提高儲(chǔ)能應(yīng)用效率和功率密度的方法產(chǎn)生了濃厚的興趣。英飛凌的 CoolSiC MOSFET 1200 V 和 IGBT7 H7 1200 V 系列功率半導(dǎo)體器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)和專為工業(yè)應(yīng)用開發(fā)的設(shè)計(jì)原理。

　　英飛凌的 CoolSiC MOSFET 1200 V 具有高功率密度，可將損耗降低 50%，并在無需更大電池的情況下提供約 2% 的更多能量。這對(duì)于優(yōu)先考慮高性能、輕量化和緊湊性的儲(chǔ)能系統(tǒng)來說尤其有利。FOXESS H3PRO 儲(chǔ)能系列的功率范圍為 15 kW 至 30 kW，采用了英飛凌的 CoolSiC MOSFET，所有型號(hào)的額定電壓均為 1200 V。英飛凌卓越的性能使H3PRO系列能夠達(dá)到高達(dá)98.1%的效率和出色的電磁兼容性(EMC)性能。由于其卓越的性能和可靠性，H3PRO系列在全球市場(chǎng)的銷量取得了顯著的增長(zhǎng)。

　　目前，F(xiàn)OXESS的主要工業(yè)和商業(yè)型號(hào)R系列75-110kW通過包含IGBT7 H7系列分立器件增強(qiáng)了100kW型號(hào)的整體設(shè)計(jì)，使機(jī)器效率高達(dá)98.6%。IGBT7 H7系列采用分立封裝，具有低功率損耗和高功率密度，簡(jiǎn)化并優(yōu)化了并聯(lián)過程中均流等技術(shù)問題。每個(gè)功率器件都需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)器，選擇合適的驅(qū)動(dòng)器可以顯著簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)過程。

英飛凌提供各種 EiceDRIVER 柵極驅(qū)動(dòng)器，型號(hào)總數(shù)超過 500 種。這些柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出電流范圍為 0.1 A 至 18 A，并具有各種保護(hù)功能，例如快速短路保護(hù) (DESAT)、有源米勒鉗位、直通保護(hù)、故障報(bào)告、關(guān)斷、和過流保護(hù)。它們與所有功率器件兼容，包括 CoolSiC 和 IGBT。浮思特科技深耕功率器件領(lǐng)域，為客戶提供單片機(jī)(MCU)、觸控芯片等功率器件，是一家擁有核心技術(shù)的電子元器件供應(yīng)商和解決方案商。