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SemiHow-GaNFET
HPD120G115N 是由SemiHow推出的一款高性能氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)，專為高效能電源轉換和電力電子應用設計。該器件具有優(yōu)異的開關速度和低能耗特性。
主要特性
高效率：實現(xiàn)低能量損耗，提升系統(tǒng)整體效率。
低導通電阻：極低的導通電阻(Rds(on))，有效降低發(fā)熱。
高頻操作：支持高達 1MHz 的開關頻率，適用于多種應用。
優(yōu)異的熱管理：高工作溫度下依然保持高性能。
應用領域
開關電源(SMPS)
電動汽車充電器
太陽能逆變器
無線充電器
規(guī)格參數
漏極電壓 (Vds): 120V
持續(xù)漏極電流 (Id): 115A
導通電阻 (Rds(on)): 18 m? (典型值)
HPD120G115N 是現(xiàn)代電源管理解決方案的理想選擇，助力高效能設計和應用。
