HPFL120G085N 是一款由SemiHow旗下研發(fā)的高性能氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)，專為高效能電源轉(zhuǎn)換和電力電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)。憑借其卓越的開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻，HPFL120G085N 成為現(xiàn)代電源管理和高頻應(yīng)用中的理想選擇。

　　主要特性

　　高效率：氮化鎵材料的優(yōu)越特性使得 HPFL120G085N 在開關(guān)頻率和效率方面表現(xiàn)出色，能夠有效降低能量損耗。

　　低導(dǎo)通電阻 (Rds(on))：該產(chǎn)品具有極低的導(dǎo)通電阻，減少了功率損耗，并提高了系統(tǒng)的熱管理效率。

　　高頻操作：HPFL120G085N 支持高達(dá) 1MHz 的開關(guān)頻率，使其適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用場景。

　　優(yōu)異的熱性能：設(shè)計(jì)上優(yōu)化了熱管理，支持更高的工作溫度和散熱效率，提升了整體系統(tǒng)的可靠性。

　　緊湊封裝：采用緊湊的封裝形式，便于集成到空間受限的應(yīng)用中，提高設(shè)計(jì)靈活性。

　　應(yīng)用領(lǐng)域

　　HPFL120G085N 適用于廣泛的應(yīng)用，包括但不限于：

　　開關(guān)電源(SMPS)

　　電動(dòng)汽車充電器

　　太陽能逆變器

　　無線充電器

　　高頻電源轉(zhuǎn)換器

　　規(guī)格參數(shù)

　　柵極電壓 (Vgs): ±20V

　　漏極電壓 (Vds): 120V

　　持續(xù)漏極電流 (Id): 85A

　　導(dǎo)通電阻 (Rds(on)): 30 m? (典型值)

　　開關(guān)頻率: 可達(dá) 1MHz

　　結(jié)論

　　HPFL120G085N 以其高效率、低損耗和卓越的性能，成為高頻開關(guān)電源和電力電子領(lǐng)域的理想選擇。無論是在工業(yè)應(yīng)用，還是在消費(fèi)電子產(chǎn)品中，該GaN FET都能提供可靠的性能表現(xiàn)，助力創(chuàng)新設(shè)計(jì)和高效能解決方案。