近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及無源元件制造商Vishay Intertechnology宣布，其旗下Vishay Semiconductors業(yè)務(wù)部門成功推出16款新型的第三代1,200V碳化硅(SIC)肖特基二極管。這些新推出的器件采用了獨(dú)特的合并PIN肖特基(MPS)設(shè)計(jì)，為開關(guān)電源系統(tǒng)提供了更高的效率和可靠性。

　　新款SiC二極管憑借MPS設(shè)計(jì)，將高浪涌電流耐受性與低正向電壓降、電容充電和反向漏電流等性能優(yōu)勢(shì)相結(jié)合，為行業(yè)樹立了新的標(biāo)準(zhǔn)。這些二極管提供從5A到40A的廣泛電流選擇，并采用多種封裝形式，包括TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L穿孔式封裝以及D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封裝，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

　　據(jù)Vishay Intertechnology介紹，新款SiC二極管具有低至28nC的電容充電能力，其MPS結(jié)構(gòu)通過激光退火技術(shù)薄化背面，實(shí)現(xiàn)了1.35V的低正向電壓降。這一突破性的設(shè)計(jì)不僅提高了能源效率，還有助于降低系統(tǒng)散熱需求，從而延長(zhǎng)了設(shè)備的使用壽命。

　　此外，這些二極管在25°C時(shí)展現(xiàn)出低至2.5μA的反向漏電流，有助于最小化傳導(dǎo)損耗，并確保在輕載和空閑條件下系統(tǒng)仍能保持最佳效率。與市面上其他高速開關(guān)二極管相比，第三代SiC二極管幾乎不產(chǎn)生殘留電荷，進(jìn)一步提升了整體系統(tǒng)的效率。

　　這些先進(jìn)的SiC二極管已被廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域，包括交流/直流功率因數(shù)校正(PFC)、直流/直流轉(zhuǎn)換器、太陽能逆變器、能量存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)驅(qū)動(dòng)和數(shù)據(jù)中心等。這些應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)電源系統(tǒng)的效率和可靠性提出了極高的要求，而Vishay Intertechnology的新產(chǎn)品正是為了滿足這些需求而設(shè)計(jì)的。

　　新款SiC二極管設(shè)計(jì)精良，能夠承受惡劣的工作環(huán)境，工作溫度范圍可達(dá)+175°C，并具備高達(dá)260A的正向浪涌額定值。此外，D2PAK 2L封裝中的二極管還采用了高比較跟蹤指數(shù)(CTI)至少為600的模塑化合物，確保了在高電壓下仍能保持出色的電氣絕緣性能。

　　隨著全球?qū)η鍧嵞茉春透咝茉蠢玫男枨蟛粩嘣鲩L(zhǎng)，Vishay Intertechnology的第三代SiC肖特基二極管無疑將為電源系統(tǒng)帶來更高的性能和更長(zhǎng)的使用壽命。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，再次證明了Vishay Intertechnology在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和持續(xù)創(chuàng)新的能力。

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