由于人工智能(AI)處理器的電力需求不斷增長，服務(wù)器電源供應(yīng)(PSU)需要在符合服務(wù)器機(jī)架規(guī)格的尺寸內(nèi)提供更多的電力。高性能GPU的能源需求增加是這一趨勢(shì)的主要驅(qū)動(dòng)力。預(yù)計(jì)到本世紀(jì)末，每個(gè)芯片的能耗可能達(dá)到2千瓦或更多。

為了應(yīng)對(duì)應(yīng)用需求和獨(dú)特客戶要求的不斷提升，英飛凌科技股份公司決定將SIC mosfet的開發(fā)擴(kuò)展到650V以下的電壓范圍。該公司目前正在推出基于今年早些時(shí)候發(fā)布的第二代(G2)CoolSiC技術(shù)的新款CoolSiC? 400V MOSFET家族。

　　英飛凌專門為AI服務(wù)器的AC/DC階段創(chuàng)建了一個(gè)新的MOSFET產(chǎn)品組合，這一產(chǎn)品組合補(bǔ)充了英飛凌最近公布的PSU路線圖。這些器件非常適用于太陽能和能源存儲(chǔ)系統(tǒng)(ESS)、逆變器電機(jī)控制、工業(yè)和輔助電源供應(yīng)(SMPS)以及住宅建筑的固態(tài)斷路器。

　　與當(dāng)前的650V SiC和Si MOSFET相比，新款家族顯著降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗。AI服務(wù)器PSU的AC/DC階段采用多級(jí)PFC，可以實(shí)現(xiàn)100 W/in3的功率密度，并已證明可以達(dá)到99.5%的效率。與使用650V SiC MOSFET的解決方案相比，該方案的效率提高了0.3個(gè)百分點(diǎn)。此外，在DC/DC階段整合CoolGaN?晶體管，完成了AI服務(wù)器PSU的系統(tǒng)解決方案。通過利用高性能MOSFET和晶體管的組合，電源供應(yīng)能夠提供超過8 kW的電力，與現(xiàn)有系統(tǒng)相比，功率密度提高了三倍以上。

　　更新后的MOSFET系列包括總計(jì)10款產(chǎn)品。涵蓋了五種不同的RDS(on)等級(jí)，范圍從11到45毫歐。MOSFET采用Kelvin-source TOLL和D2PAK-7封裝，并配有.XT封裝連接技術(shù)。在T vj = 25°C下，400V的漏源擊穿電壓使這些組件非常適合用于2級(jí)和3級(jí)轉(zhuǎn)換器以及同步整流器。組件在復(fù)雜的開關(guān)情況下表現(xiàn)出卓越的耐久性，并經(jīng)過徹底的雪崩測(cè)試以確保其可靠性。

　　先進(jìn)且耐用的CoolSiC技術(shù)以及.XT連接技術(shù)使這些器件能夠處理AI處理器電力需求突變所產(chǎn)生的意外電力增加和波動(dòng)。連接技術(shù)和低且正的RDS(on)溫度系數(shù)在結(jié)溫升高的情況下提供了卓越的性能。